设备的扩展性强,通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A。采用了脉冲测试法,脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。
系统概述
设备的扩展性强,通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A。采用了脉冲测试法,脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。
基础配置
技术参数 | ENJ2005-A型 | ENJ2005-B型 |
主极电压 | 10mV-2000V | 10mV-2000V |
主极电流 | 100nA-50A | 100nA-50A |
扩展电流 | 100A、200A、400A、500A | 250A、500A、750A、1000A、1250A |
电压分辨率 | 1mV | 1mV |
电流分辨率 | 100nA | 10nA(可扩展至10pA) |
测试精度 | 0.5%+2LSB | 0.2%+2LSB |
测试速度 | 0.5mS/参数Parameter | 0.5mS/参数Parameter |
测试范围
√ | √ | 测试器件 |
√ | √ | 二极管 / DIODE |
√ | √ | 绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
√ | √ | 晶体管 / NPN型/PNP型 |
√ | √ | MOS场效应管 / MOS-FET |
√ | √ | J型场效应管 / J-FET |
√ | √ | 可控硅 / SCR |
√ | √ | 双向可控硅 / TRIAC |
√ | √ | 达林顿列阵 / DRALINTON |
√ | √ | 光电耦合 / OPTO-COUPLER |
√ | √ | 稳压、齐纳二极管 / ZENER |
√ | √ | 三端稳压器 / REGULATOR |
√ | √ | 双向触发二极管 / DIAC |
√ | 硅触发可控硅 / STS | |
√ | 光电开关 / OPTO-SWITCH | |
√ | 光电逻辑 / OPTO-LOGIC | |
√ | 金属氧化物压变电阻 / MOV | |
√ | 固态过压保护器 / SSOVP | |
√ | 压变电阻 / VARISTOR | |
√ | 继电器 / RELAY |
测试参数
漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS
导通参数:VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,中国传动网对此不承担任何保证责任。
温馨提示:为规避购买风险,建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
企业详细信息
普通会员
厂商性质
系统集成商
所在地
陕西省
联系人
张芳
地址:西安市沣东新城中兴深蓝科技产业园
电话:15319792496
传真:
网址:http://
主营产品:静态参数,动态参数(开通关断/反向恢复/短路/安全工作区)测试 等);雪崩能力测试,老化及可靠性。 参数测试设备: 静态参数;动态参数(开通关断/反向恢复/短路/安全工作区)测试等);老化及可靠性 二
2023-11-21
2023-11-21
2023-11-21
2023-11-21